在電磁兼容中，為了對抗靜電放電（ESD）的影響，通常需要使用靜電抑制器、TVS二極管、壓敏電阻、瞬態(tài)抑制二極管和濾波器與屏蔽等。

• TVS二極管：也稱為瞬態(tài)電壓抑制器，它們能在毫秒級別內(nèi)響應，將靜電放電產(chǎn)生的高電壓鉗位至安全水平，以保護設(shè)備中的半導體器件。

• 壓敏電阻：當壓敏電阻兩端的電壓超過其閾值時，它的阻值會急劇下降，從而為靜電放電提供一個低阻抗的通路，保護電路不受損害。

• 瞬態(tài)抑制二極管：它們可以吸收或分流高能量的電流尖峰，包括由靜電放電引起的那些，從而保護設(shè)備不受損害。

• 濾波器與屏蔽：使用EMI濾波器可以減少外界靜電放電對設(shè)備的干擾，而良好的屏蔽設(shè)計可以降低靜電放電對內(nèi)部電路的影響。

需要注意的是，選擇哪種器件取決于具體的應用場景和需要保護的設(shè)備類型。在進行整改時，應綜合考慮設(shè)備的工作環(huán)境、敏感度以及可能面臨的靜電放電情況，選擇合適的器件進行保護。